半導體記憶體的工作原理與分類

半導體記憶體是一種以半導體電路作為存儲媒體的記憶體, 內記憶體就是由稱為記憶體晶片的半導體積體電路組成。下面小編為大家詳細介紹半導體記憶體的相關知識。

半導體記憶體記憶體的工作原理：

記憶體是用來存放當前正在使用的（即執行中）的資料和程式，我們平常所提到的電腦的記憶體指的是動態記憶體（即DRAM），動態記憶體中所謂的“動態”，指的是當我們將資料寫入DRAM後，經過一段時間，資料會丟失，因此需要一個額外設電路進行記憶體刷新操作。

具體的工作過程是這樣的：

一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是資料丟失的原因；刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1／2，則認為其代表1，並把電容充滿電；若電量小於1／2，則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保持資料的連續性。

半導體記憶體的分類:

半導體記憶體是一種以半導體電路作為存儲媒體的記憶體,內記憶體就是由稱為記憶體晶片的半導體積體電路組成。

按其功能可分為：隨機存取記憶體（簡稱RAM）和唯讀記憶體（唯讀ROM）

RAM包括DRAM（動態隨機存取記憶體）和SRAM（靜態隨機存取記憶體），當關機或斷電時，其中的 資訊都會隨之丟失。 DRAM主要用於主存（記憶體的主體部分），SRAM主要用於快取記憶體記憶體。

ROM主要用於BIOS記憶體。按其製造工藝可分為：雙極電晶體記憶體和MOS電晶體記憶體。按其存儲原理可分為：靜態和動態兩種。

半導體記憶體的主要性能指標:

有兩個主要技術指標；存儲容量和存取速度

1、存儲容量

存儲容量是半導體記憶體存儲信息量大小的指標。半導體記憶體的容量越大，存放程式和資料的能力就越強。

2、存取速度

記憶體的存取速度是用存取時間來衡量的，它是指記憶體從接收CPU發來的有效位址到記憶體給出的資料穩定地出現在資料匯流排上所需要的時間。存取速度對CPU與記憶體的時間配合是至關重要的。如果記憶體的存取速度太慢，與CPU不能匹配，則CPU讀取的資訊就可能有誤。

3、記憶體功耗

記憶體功耗是指它在正常工作時所消耗的電功率。通常，半導體記憶體的功耗和存取速度有關，存取速度越快，功耗也越大。因此，在保證存取速度前提下，記憶體的功耗越小越好。

4、可靠性和工作壽命

半導體記憶體的可靠性是指它對周圍電磁場、溫度和濕度等的抗干擾能力。由於半導體記憶體常採用VLSI工藝製造，可靠性較高，壽命也較長，平均無故障時間可達數千小時。

5、集成度

半導體記憶體的集成度是指它在一塊數平方毫米晶片上能夠集成的電晶體數目，有時也可以每塊晶片上集成的“基本存放裝置電路”個數來表徵。

通過以上介紹，對半導體記憶體也是有著很好認識，感謝你停下寶貴的時間來欣賞小編的文章，想瞭解更多相關知識請繼續關注齊家資訊哦。